Browsing by Author "Зайков, В. А."

Now showing items 1-15 of 15

    • Автоматизированный метод регистрации ВАХ двухполюсников с помощью цифрового осциллографа В-422 

      Романов, И. А.; Зайков, В. А.; Климович, И. М. (БНТУ, 2014)
      В настоящей работе предлагается автоматизированный метод регистрации ВАХ двухполюсников, рассчитанный на широкий спектр ПП или приборных структур.
      2015-03-17

    • Влияние потенциала смещения на структуру и механические свойства покрытий Ti – Al – C – N 

      Климович, И. М.; Зайков, В. А.; Комаров, Ф. Ф.; Кулешов, А. К.; Баран, Л. В. (2018)
      Исследовано влияние потенциала смещения подложки на состав, структуру и коэффициент трения наноструктурных покрытий Ti – Al – C – N. Установлено, что с ростом потенциала смещения происходит уменьшение соотношения между интенсивностями рефлексов I(111)/I(200). При увеличении потенциала смещения от –90 до –200 В структура покрытия изменяется от столбчатой к мелкозернистой. Обнаружено, ...
      2019-04-22

    • Влияние технологических параметров процесса осаждения на свойства защитных наноструктурированных покрытий Ti-Al-N 

      Климович, И. М.; Пилько, В. В.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2016)
      Климович, И. М. Влияние технологических параметров процесса осаждения на свойства защитных наноструктурированных покрытий Ti-Al-N / И. М. Климович, В. В. Пилько, В. А. Зайков // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический ...
      2016-09-26

    • Изучение действия лазерного излучения на полупроводниковые структуры в спецпрактикуме по лазерной обработке материалов 

      Людчик, О. Р.; Зайков, В. А.; Михей, В. Н.; Вишневская, Е. В. (БНТУ, 2016)
      Изучение действия лазерного излучения на полупроводниковые структуры в спецпрактикуме по лазерной обработке материалов / О. Р. Людчик [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 428-429.
      2017-04-04

    • Метод формирования бинарных нитридов Ti-Al-N реактивным магнетронным распылением с оптическим управлением 

      Зайков, В. А.; Комаров, Ф. Ф.; Бурмаков, А. П.; Климович, И. М.; Кулешов, В. Н.; Людчик, О. Р. (БНТУ, 2014)
      Основной задачей настоящей работы является определение параметров осаждения, позволяющих достичь высокой воспроизводимости химического состава пленок Ti-Al-N и их оптимальных физических свойств: твердости износостойкости и др.
      2015-03-23

    • Научно-учебный лазерный комплекс на основе импульсного лазера с диодной накачкой 

      Людчик, О. Р.; Зайков, В. А.; Вишневская, Е. В.; Михей, В. Н. (БНТУ, 2014)
      Целью настоящей работы являются разработка научно-учебного лазерного комплекса на основе импульсного лазера с диодной накачкой, исследование его возможностей, а также разработка заданий для специального лабораторного практикума.
      2015-03-26

    • Свойства наноструктурированных нитридных покрытий TiAlCuN для микромеханических приборов 

      Константинов, С. В.; Комаров, Ф. Ф.; Чижов, И. В.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2022)
      Сформированы нитридные покрытия TiAlCuN на подложках из монокристаллического кремния (100) и титана марки ВТ1-0 магнетронным методом. Проведены исследования элементного состава, структуры и механических свойств полученных покрытий. Установлено, что уменьшение степени реактивности α от значения α = 0,60 до величины α = 0,47 приводит к увеличению скорости осаждения покры- тия TiAlCuN ...
      2022-12-28

    • Система контроля расхода газов для применения в технологии реактивного магнетронного распыления 

      Климович, И. М.; Кулешов, В. Н.; Зайков, В. А.; Бурмаков, А. П.; Комаров, Ф. Ф.; Людчик О. Р. (БНТУ, 2015)
      Неустойчивость параметров разряда и химического состава потоков частиц, поступающих на подложку, в переходных режимах реактивного магнетронного распыления приводит к невоспроизводимости состава покрытий от процесса к процессу. Целью настоящей работы являлась разработка системы контроля расхода газа, позволяющая стационарно поддерживать неравновесное состояние магнетронного разряда ...
      2015-12-30

    • Система спектрального контроля процесса очистки изделий ионным источником “Радикал” 

      Климович, И. М.; Пилько, В. В.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2013)
      Климович, И. М. Система спектрального контроля процесса очистки изделий ионным источником “Радикал” / И. М. Климович, В. В. Пилько, В. А. Зайков // Новые направления развития приборостроения : материалы 6-й Международной студенческой научно-технической конференции, 24-26 апреля 2013 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 23.
      2022-10-24

    • Система спектрофотометрического контроля покрытий на основе бинарных нитридов 

      Белявский, Д. С.; Солодухо, Д. А.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2012)
      Белявский, Д. С. Система спектрофотометрического контроля покрытий на основе бинарных нитридов / Д. С. Белявский, Д. А. Солодухо, В. А. Зайков // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 196.
      2022-09-22

    • Структурные изменения в покрытиях Ti – Al – C – N при лазерном отжиге 

      Зайков, В. А.; Ивлев, Г. Д.; Климович, И. М.; Людчик, О. Р.; Вишневский, А. И.; Гусакова, С. В.; Королик, О. В. (2018)
      Методами растровой электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света исследованы структура, элементный состав тонких пленок Ti – Al – C – N до и после обработки интенсивным излучением рубинового лазера (λ = 0,69 мкм) при плотностях энергии 0,5–1,3 Дж/см2. Исследуемые тонкопленочные покрытия формировались на кремниевых подложках методом реактивного магнетронного распыления ...
      2019-04-18

    • Твердые покрытия Ti-Al-N, полученные контролируемым магнетронным нанесением 

      Климович, И. М.; Романов, И. А.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2015)
      Климович, И. М. Твердые покрытия Ti-Al-N, полученные контролируемым магнетронным нанесением / И. М. Климович, И. А. Романов, В. А. Зайков // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 274.
      2022-08-24

    • Управляемое реактивное магнетронное нанесение TiAlN покрытий 

      Климович, И. М.; Бурмаков, А. П.; Зайков, В. А.; Кулешов, В. Н.; Романов, И. А. (БНТУ, 2016)
      Управляемое реактивное магнетронное нанесение TiAlN покрытий / И. М. Климович [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 330-332.
      2017-03-28

    • Установка для исследования параметров магнетронной и лазерной плазмы 

      Бурмаков, А. П.; Зайков, В. А.; Комаров, Ф. Ф.; Людчик, О. Р.; Солодухо, Д. А. (БНТУ, 2012)
      В работе рассмотрены различные модификации установки для импульсного лазерного и магнетронного осаждения тонкопленочных структур с контролируемыми условиями формирования плазменного потока и возможностью исследования параметров плазмы. Предложены варианты для совместного и раздельного осаждения слоев. Разработанная установка расширяет энергетический, зарядовый и элементный состав ...
      2013-02-05

    • Электрофизические свойства наноструктурированных покрытий TiAlSiN, TiAlSiCN для задач космического приборостроения 

      Константинов, С. В.; Комаров, Ф. Ф.; Чижов, И. В.; Зайков, В. А. (БНТУ, 2023)
      Сформированы образцы нитридных и карбонитриных покрытий TiAlSiN, TiAlSiCN. Прове- дены измерения поверхностного R и удельного Rуд сопротивления нитридных и карбонитридных покры- тий TiAlSiN, TiAlSiCN четырехзондовым методом при помощи цифрового прибора ИУС-3. Установлено, что все сформированные покрытия нитрида TiAlSiN и карбонитрида TiAlSiN с добавлением кремния Si имеют небольшие ...
      2023-12-21